一、eMMC
     eMMC ( Embedded Multi Media Card) 采用統(tǒng)一的MMC標(biāo)準(zhǔn)接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封裝在一顆BGA芯片中。針對(duì)Flash的特性，產(chǎn)品內(nèi)部已經(jīng)包含了Flash管理技術(shù)，包括錯(cuò)誤探測(cè)和糾正，flash平均擦寫(xiě)，壞塊管理，掉電保護(hù)等技術(shù)。用戶(hù)無(wú)需擔(dān)心產(chǎn)品內(nèi)部flash晶圓制程和工藝的變化。同時(shí)eMMC單顆芯片為主板內(nèi)部節(jié)省更多的空間。
eMMC=Nand Flash+控制器+標(biāo)準(zhǔn)封裝。

二、UFS
     UFS：Univeral Flash Storage，我們可以將它視為eMMC的進(jìn)階版，是由多個(gè)閃存芯片、主控、緩存組成的陣列式存儲(chǔ)模塊。UFS彌補(bǔ)了eMMC僅支持半雙工運(yùn)行（讀寫(xiě)必須分開(kāi)執(zhí)行）的缺陷，可以實(shí)現(xiàn)全雙工運(yùn)行，所以性能得以翻番。

三、DDR
     DDR全稱(chēng)Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，嚴(yán)格的來(lái)講，DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM。雖然美國(guó)固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)2018年宣布正式發(fā)布DDR5標(biāo)準(zhǔn)，但實(shí)際上最終的規(guī)范要到2020年才能完成，其目標(biāo)是將內(nèi)存帶寬在DDR4基礎(chǔ)上翻倍，速率3200MT/s起，最高可達(dá)6400MT/s，電壓則從1.2V降至1.1V，功耗減少30%。

EMMC/DDR/UFS
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